降低成本并简化流程：1000 A 高强度电流 RDS (ON) 测量，
将静态参数直流电测试与 300 μs 的脉冲测试对比

目前对二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 或绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 等高性能半导体的需求正在迅速增加。 在所有可再生能源、电动汽车或工业电子驱动领域中，对性能更强的组件需求正在不断迅速增长。测试这些组件对测试工程师来说是一项艰巨的挑战。你可以在我们的白皮书中了解更多关于此主题的资讯。

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