Kostenreduzierung und Vereinfachung: 1000 A Hochstrom-RDS (ein) statischer Parameter DC-Test vs. Impulstest bei 300 μs

Der Bedarf an Hochleistungshalbleitern wie Dioden, MOSFETs oder IGBTs nimmt rapide zu. In allen Bereichen der erneuerbaren Energien, der Elektromobilität oder der industriellen elektronischen Antriebe besteht ein stark wachsender Bedarf an leistungsstärkeren Komponenten. Das Testen dieser Komponenten ist eine große Herausforderung für Testingenieure. Weitere Informationen zu diesem Thema finden Sie in unserem Whitepaper.

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